Descripción:

Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida.
Diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y
rentabilidad.
El paquete TO-220AB es universalmente preferido para
Aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de potencia.
Niveles a aproximadamente 50 W. La baja resistencia térmica.
y el bajo costo del paquete del TO-220AB contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.

Características:

• Polaridad de Transistor: Canal N
• Encapsulado del Transistor: TO-220
• Número de Pines: 3 Pines

Especificaciones:

• Corriente de Drenaje Continua Id: 41A
• Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V
• Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.0175ohm
• Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 10V
• Tensión Umbral Vgs: 4V
• Disipación de Potencia Pd: 83W
• Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C

Hoja de Datos