IRF540
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Transistor mosfet de potencia canal N 100V, 28A
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Descripción:
Transistor mosfet de potencia canal N 100V, 28A de suicheo rápido.
Características:
- Encapsulado: TO220AB
Especificaciones:
- Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 28A
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 100V
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C ~ 175°C
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