Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN.
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V
$2.00
Transistor NPN de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 300 MHz
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Transistor Bipolar (BJT) NPN.
Encapsulado: TO-92
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