Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Placa Amplificadora Digital PAM8406 con Potenciómetro de Volumen Estéreo
Pantalla De Tinta Electronica 6" 800x600 de 2 Colores con HAT p/ Raspberry SPI
Convertidor Analógico-Digital DAC0800
Cable HDMI 2m
Motor Corriente directa CD a 5v
PIC18F4550 


















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