Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

SENSOR DE GAS NATURAL MQ-5
SENSOR DE DISTANCIA TOF VL53L0X
Aire Comprimido Vorago (Removedor de Polvo) 227ml
LCD 20X40
AT89S51
Pick it 3 compatible
Puente H L293
Foto transistor
Optoacoplador MOC3011
AD620AN
BC547 




















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