Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

IRF9540
TARJETA COMPATIBLE UNO SMD R3 Compatible (Placa AT-Mega328 SMD)
PIC18F4550
SENSOR DE DISTANCIA TOF VL53L0X
Teclado Matricial 1X4 de Membrana
Motor a pasos 28BYJ-48 con controlador ULN2003
Puente H L298N
Pantalla De Tinta Electronica 2.13" 212x104 con HAT p/ Raspberry SPI
PIC16F887
Motor shield arduino
Optoacoplador MOC3011
Transistor 2N2222
AT89S51 



















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