Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Transistor 2N2222
Diodo Láser shield
Sensor de color TCS230
GAL16V8D
LM555
Convertidor Analógico-Digital DAC0800
FUENTE PROTOBOARD 5V Y 3.3V
Case protector para Arduino mega
Fotoresistencia LDR
RFID MFRC-522 KIT COMPLETO
Convertidor de HDMI a VGA
Kit extrusor mk8 0.4mm para impresora 3D
LM741 



















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