Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Kit de 375 LEDs
SENSOR DE DE GAS MQ2
CNC Shield para Arduino NANO y Driver A4988
RFID MFRC-522 KIT COMPLETO
2N5457
Fotoresistencia LDR
Pantalla De Tinta Electronica 2.13" 212x104 con HAT p/ Raspberry SPI
Foto transistor
PIC16F84A 





















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