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AT28C64B
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Memoria EEPROM Electricamente borrable de alto desempeño con memoria programable de solo lectura.
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Descripción:
Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente.
Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
Características:
- Paquete / Cubierta: PDIP-28
- Tiempo de acceso de activación de salida: 70 ns
- Tipo de interfaz: Paralelo
- Entradas y Salidas compatibles con CMOS y TTL
- Proteccion de Software y Hardware
Especificaciones:
- Tiempo de Lectura de 159 ns
- Bajo Consumo de energia
- Alimentacion de 5V
- Tiempo de acceso: 150 ns
- Temperatura de trabajo mínima: – 40 C
- Voltaje de alimentación – Máx.: 5.5 V
- Voltaje de alimentación – Mín.: 4.5 V
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