Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
CaracterÃsticas:
Encapsulado:Â TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO:Â 6 V
- hFE min:Â 110Â (@ IC=Â 2 mA, VCE=Â 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***
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