Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Impresora 3D De Alta Velocidad Creality K1 Speedy
Acelerómetro ADXL362 GY-362 (3 ejes, interfaz SPI para Arduino ARM Pi)
ADS1115
Pulsera antiestatica inalambrica 




















Valoraciones
No hay valoraciones aún.