Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Pick it 3 compatible
Sensor De Presencia PIR HC-SRC501
Fotoresistencia LDR
Ethernet Shield para arduino
Motor a pasos 28BYJ-48 con controlador ULN2003
Shield micro SD
Impresora 3D De Alta Velocidad Creality K1 Speedy
Pulsera antiestatica inalambrica 




















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