Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Protoboard 830pts MB-102
Impresora 3D De Alta Velocidad Creality K1 Speedy
Adaptador Nano USB Para WiFi
Pick it 3 compatible
Foto transistor
Acelerómetro ADXL362 GY-362 (3 ejes, interfaz SPI para Arduino ARM Pi)
Aire Comprimido Vorago (Removedor de Polvo) 227ml
2N5457
ADS1115
AD620AN
IRED 5mm
Sensor de Temperatura LM35 Original
SENSOR DE GAS NATURAL MQ-5 




















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