Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

LM741
MPU6050 Acelerómetro y Giroscopio 6 Ejes Digital
FUENTE PROTOBOARD 5V Y 3.3V
Motor Corriente directa CD a 5v
PIC16F887
Pulsera antiestatica inalambrica
LM324
Joystick 2 ejes de accion
Optoacoplador MOC3011 




















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