Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

SENSOR DE GAS NATURAL MQ-5
Tira de 40 headers
AD620AN
HAT Para Raspberry de 2 Matriz LED 8x8
I2C para LCD 16x2 LCM1602
2N5457
Acelerómetro ADXL362 GY-362 (3 ejes, interfaz SPI para Arduino ARM Pi)
Diodo Láser shield
Rodamiento Lineal Con Soporte - SC8UU Para impresora 3D
LM555 




















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