Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Teclado Matricial 4x4 Capacitivo TTP229
LCD 20x4 Verde
Pantalla De Tinta Electronica 5.83" 600x448 con HAT p/ Raspberry SPI
Tira de 40 headers
Ethernet Shield para arduino
Base para CI 8 pines (4 pines por lado)
Protoboard 830pts MB-102
Termopar Tipo K
LM741
Pulsera antiestatica inalambrica
Buz11
Capacitometro con ESR V2.68 ESR-T4 kit
Transistor 2N2222
PIC16F84A
LM386 


















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