Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Fotoresistencia LDR
PIC18F4550
Acelerómetro ADXL362 GY-362 (3 ejes, interfaz SPI para Arduino ARM Pi)
Tira de 40 headers
Adaptador Nano USB Para WiFi
Sensor de color TCS230
Motor a pasos 28BYJ-48 con controlador ULN2003
Cargador Inteligente de baterías de lipo IMAX B6 B6A 80w
Foco LED
Sensor de Temperatura LM35 Original 




















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