Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

IRED 5mm
Foto transistor
Buz11
Sensor de color TCS230
Motor a pasos 28BYJ-48 con controlador ULN2003
Rodamiento Lineal Con Soporte - SC8UU Para impresora 3D
Diodo Láser shield
FUENTE PROTOBOARD 5V Y 3.3V
Sensor Ultrasonico HC-SR04
Cable HDMI 5m
Puente H L293
Aire Comprimido Vorago (Removedor de Polvo) 227ml
LM324 



















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