Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Fuente de poder 24V 15A 360W Mean Well
Capacitometro con ESR V2.68 ESR-T4 kit
Holder (Soporte) auto ajustable de 6 puntos para carro
Modulo de conversion de nivel logico de 4 canales 5V-3V IIC UART SPI
LM324 



















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