Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Foco LED
GAL22V10D
RFID MFRC-522 KIT COMPLETO
Case protector para Arduino mega
LM741
Impresora 3D Creality de Resina Halote One Plus
Fuente de poder 5V 3A 15W Original Mean Well
Placa Amplificadora Digital PAM8406 con Potenciómetro de Volumen Estéreo
Cable para motor NEMA 17
Cristal u Oscilador 12MHz
I2C para LCD 16x2 LCM1602
Foto transistor
AT28C64B
LM324 




















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