Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Tira de 40 headers
Tarjeta NTAG215 NFC 13.56MHz Compatible Con Amiibo y TagMo
Protoboard Transparente 830pts
Amplificador operacional TL082
Modulos RF - Kit transmisor y receptor 433 MHz
ARDUINO NANO ORIGINAL
Pulsera antiestaticas alambricas
IRF9540 




















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