Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Ethernet Shield para arduino
AT89S52
Tarjeta Gpio Extension De Raspberry Cable 40 Pines 20cm
Sensor de color TCS230
Shield micro SD
Cable HDMI 5m
Foto transistor
Base ZIF para PICKIT
Fotoresistencia LDR
GAL22V10D 



















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