Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Fotoresistencia LDR
ADC0804
Cristal u Oscilador 12MHz
Transistor 2N2222
AD620AN
Pick it 3 compatible
FUENTE PROTOBOARD 5V Y 3.3V
Puente H L298N
RFID MFRC-522 KIT COMPLETO
Cristal u Oscilador 4MHz
IRED 5mm
LM324
Matriz de Led 8*8
GAL16V8D 



















Valoraciones
No hay valoraciones aún.