Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Modulo de conversion de nivel logico de 4 canales 5V-3V IIC UART SPI
Motor a pasos 28BYJ-48 con controlador ULN2003
Sensor de Temperatura LM35 Original
AT28C64B
Protoboard Transparente 830pts
Teclado Matricial 4x4 Capacitivo TTP229
PIC18F4550
Tarjeta Gpio Extension De Raspberry Cable 40 Pines 20cm
GAL16V8D 




















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