Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Cable HDMI 2m
Impresora 3D Creality de Resina Halote One Plus
Joystick 2 ejes de accion
GAL16V8D
LCD 16x2 con I2C
Buz11 




















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