Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Capacitometro con ESR V2.68 ESR-T4 kit
LM324
SIM5320e
Pantalla De Tinta Electronica 6" 800x600 de 2 Colores con HAT p/ Raspberry SPI
Módulo Transceptor RF NRF24L01 2.4GHz
Motor a pasos 28BYJ-48 con controlador ULN2003
LM741
Sensor de apertura de puerta MC38
AT28C64B
Jumpers dupont macho macho (65 pzs pack)
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PIC18F4550
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