Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

HAT Para Raspberry de 2 Matriz LED 8x8
Puente H L293
IRED 5mm
Acoplamiento Flexible de motor a varilla de 5*8*2
Adaptador Nano USB Para WiFi
Sensor de Temperatura LM35 Original
Aire Comprimido Vorago (Removedor de Polvo) 227ml
Foto transistor
GAL16V8D
SENSOR DE DE GAS MQ2
ADC0804 


















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