Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
- IC max: 100 mA
- FT : 300 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V)
Nota
El precio es por un solo transistor***

Fuente de poder 5V 3A 15W Original Mean Well
Ethernet Shield para arduino
Impresora 3D De Alta Velocidad Creality K1 Max
Fuente de poder 5V 30A 150W Mean Well
Fotoresistencia LDR
Dip switch 10 canales
PIC16F887
ADC0804 




















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